SIHP24N65E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIHP24N65E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHP24N65E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIHP24N65E-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC @ 10 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) ±30V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2740 pF @ 100 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 24A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 145mOhm a 12A, 10V	Número de producto base SIHP24

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Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (15)

N.° de pieza	Fabricante	Número de pieza de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SIHP24N65E-E3	Vishay Siliconix	SIHP24N65E-E3-ND	$3.50000	Equivalente paramétrico
IPP60R180C7XKSA1	Infineon Technologies	IPP60R180C7XKSA1-ND	$2.77000	Similar
IPP65R110CFDAAKSA1	Infineon Technologies	448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND	$3.54000	Similar
SPP24N60C3XKSA1	Infineon Technologies	448-SPP24N60C3XKSA1-ND	$4.23000	Similar
FCP110N65F	onsemi	FCP110N65FOS-ND	$5.13000	Similar

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SIHP24N65E-GE3

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