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SIHP24N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHP24N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP24N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP24N65EF-GE3 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2656 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 156mOhm a 12A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK16E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60WS1VX-ND | $3.68000 | Similar |
| IPP60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R160P6XKSA1-ND | $2.49000 | Similar |
| FCP190N65F | onsemi | 0 | FCP190N65F-ND | $4.52000 | Similar |
| STP26NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-9064-5-ND | $6.12000 | Similar |
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 0 | 497-16348-5-ND | $4.48000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $2.62500 | $2,625.00 |
Estado arancelario: Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos. Los costos estimados de la tarifa se calcularán y se mostrarán en el carrito de compras para ayudarlo a evaluar los gastos potenciales.
