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SIHP30N60E-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHP30N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP30N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHP30N60E-GE3 Modelos |
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Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 15A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (6)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | $2.68750 | Equivalente paramétrico |
| IPP60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099P7XKSA1-ND | $4.31000 | Similar |
| STP34N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-13111-5-ND | $4.45000 | Similar |
| STP34NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-10884-5-ND | $10.69000 | Similar |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 0 | 497-11335-5-ND | $6.67000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1,000 | $2.68750 | $2,687.50 |
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