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SIHU6N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHU6N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHU6N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) IPAK (TO-251) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3A, 10V | Número de producto base |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.70081 | $2,102.43 |
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