Equivalente paramétrico
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SIHW61N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SIHW61N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHW61N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) TO-247AD |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 371 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7407 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 520W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 47mOhm a 30.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG61N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG61N65EF-GE3-ND | $7.62500 | Equivalente paramétrico |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW60R040C7XKSA1-ND | $11.56000 | Similar |
| STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16130-5-ND | $11.04000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 480 | $8.93346 | $4,288.06 |




