
SISF00DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISF00DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Plazo estándar del fabricante | 37 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 53nC a 10V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700pF a 15V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Potencia - Máx. 69.4W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Configuración 2 canal N (dual), drenaje común | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SCD Doble |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 60A (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5mOhm a 10A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.02000 | $2.02 |
| 10 | $1.28800 | $12.88 |
| 100 | $0.87050 | $87.05 |
| 500 | $0.69162 | $345.81 |
| 1,000 | $0.63409 | $634.09 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.56106 | $1,683.18 |
| 6,000 | $0.53163 | $3,189.78 |




