Equivalente paramétrico

SISS80DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS80DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS80DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS80DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 13 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 122 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) +12V, -8V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6450 pF @ 10 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 65W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.92mOhm a 10A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SISS80DN-T1-UE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SISS80DN-T1-UE3TR-ND | $0.44249 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.13000 | $1.13 |
| 10 | $0.93600 | $9.36 |
| 100 | $0.74490 | $74.49 |
| 500 | $0.67250 | $336.25 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.67250 | $2,017.50 |



