Equivalente paramétrico



SQS415ENW-T1_GE3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | SQS415ENW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQS415ENW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQS415ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SQS415ENW-T1_GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8W |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4825 pF @ 25 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8W |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16.1mOhm a 12A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SQS415ENW-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SQS415ENW-T1_BE3TR-ND | $1.37000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $0.78000 | $0.78 |
| 10 | $0.63800 | $6.38 |
| 100 | $0.57120 | $57.12 |
| 500 | $0.53230 | $266.15 |
| 1,000 | $0.48576 | $485.76 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.42668 | $1,280.04 |
| 6,000 | $0.39695 | $2,381.70 |
| 9,000 | $0.38625 | $3,476.25 |









