Rohm Semiconductor's SiC Trench MOSFETs

SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor

The purpose of this training module is to provide a brief overview of ROHM’s 3rd generation SiC Trench MOSFETs and their advantages.

Part List

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje de drenaje a fuente (Vdss)Cantidad disponiblePrecioVer detalles
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM1700 V0 - Inmediata$6.89Ver detalles
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALGC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N650 V0 - Inmediata$9.72Ver detalles
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N650 V0 - Inmediata$13.64Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 22A TO247SCT2160KECSICFET N-CH 1200V 22A TO2471200 V0 - Inmediata$10.36Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KLGC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247N1200 V0 - Inmediata$19.79Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCT2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - Inmediata$16.53Ver detalles
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N650 V0 - Inmediata$25.83Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLGC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N1200 V0 - Inmediata$39.09Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 40A TO247SCH2080KECSICFET N-CH 1200V 40A TO2471200 V0 - InmediataView Details for PricingVer detalles
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N650 V0 - Inmediata$42.10Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N1200 V0 - Inmediata$60.35Ver detalles
SICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO2681700 V0 - Inmediata$6.39Ver detalles
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268SCT2750NYTBSICFET N-CH 1700V 5.9A TO2681700 V0 - Inmediata$6.72Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 14A TO247SCT2280KECSICFET N-CH 1200V 14A TO2471200 V0 - Inmediata$6.80Ver detalles
SICFET N-CH 650V 29A TO220ABSCT2120AFCSICFET N-CH 650V 29A TO220AB650 V0 - InmediataView Details for PricingVer detalles
SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE1200 V0 - Inmediata$600.00Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLGC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N1200 V0 - Inmediata$5.78Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 10A TO247SCT2450KECSICFET N-CH 1200V 10A TO2471200 V0 - Inmediata$5.04Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 400A MODULEBSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE1200 V4 - Inmediata$915.00Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 600A MODULEBSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE1200 V0 - Inmediata$1,478.40Ver detalles
PTM Published on: 2017-01-05
PTM Updated on: 2019-09-27

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Fecha de publicación: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Fecha de publicación: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Fecha de publicación: 2023-02-06

Related Product Highlight

Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
Diodos de barrera Schottky de SiC Los diodos de barrera Schottky de SiC de ROHM están calificados según AEC-Q101 para uso automotriz.
MOSFETs de potencia SIC Los MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de ROHM vienen en una variedad de resistencias ON y valores nominales de voltaje (VDSS) de 650 V, 1,200 V o 1,700 V.

Related Articles and Blogs

Cómo reducir las pérdidas, mejorar la eficiencia y ampliar el rango de temperatura en aplicaciones de alta potencia Los diseñadores pueden utilizar los MOSFET de SiC de 4ª generación para mejorar enormemente la eficiencia, abaratar los costes y reducir el tamaño de los circuitos de control de alta tensión y alta potencia.
Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
SiC Power Module SiC modules are ideally suited to replace higher current rating IGBT modules.
Términos y condiciones Aviso de privacidad Cumplimiento comercial Declaración de accesibilidad Configuración de cookies No vender / No compartir mis datos personales
Soporte local: 701 Brooks Avenue South, Thief River Falls, MN 56701 USA Copyright © 1995-2026, DigiKey. Todos los derechos reservados.
ECIA Member
ECIA Member