MOSFET SiC de tipo trinchera de 3ª generación

ROHM presenta los MOSFET SiC de 3^a generación que utilizan una estructura de puerta de trinchera patentada que reduce la resistencia de encendido en un 50% y la capacitancia de entrada en un 35% en comparación con los MOSFET SiC de tipo planar existentes. Esto se traduce en una pérdida de conmutación significativamente menor y velocidades de conmutación más rápidas, mejorando la eficiencia y reduciendo la pérdida de energía en una variedad de equipos.

Principales ventajas

• Resistencia de encendido más baja que mejora la densidad de potencia del inversor
• Admite conmutación de alta velocidad
• Comportamiento de recuperación inversa mínima del diodo parásito
• Pequeño Q_g y capacitancia parásita
• Elimina la degradación causada por la conducción del diodo parásito.
• Compatible con la operación de alta temperatura (T_jmax= 175° C)