Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

VS-4C10ET12T-M3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 112-VS-4C10ET12T-M3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-4C10ET12T-M3 |
Descripción | RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 1200 |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1200 V 10A Orificio pasante TO-220AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Velocidad Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) |
Fabricante | Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns |
Embalaje Tubo | Corriente - Fuga inversa a Vr 80 µA @ 1200 V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia según Vr, F 590pF a 1V, 1MHz |
Tecnología | Tipo de montaje |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V | Paquete / Caja (carcasa) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AC |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.6 V @ 10 A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 175°C |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-4C10ET12THM3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-VS-4C10ET12THM3-ND | $6.54000 | Equivalente paramétrico |
| WNSC2D1012006Q | WeEn Semiconductors | 0 | 1740-WNSC2D1012006Q-ND | $0.54911 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $5.09000 | $5.09 |
| 50 | $2.64800 | $132.40 |
| 100 | $2.41200 | $241.20 |
| 500 | $1.99852 | $999.26 |
| 1,000 | $1.87500 | $1,875.00 |



