Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico

VS-4C10ET12THM3 | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | 112-VS-4C10ET12THM3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VS-4C10ET12THM3 |
Descripción | RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 1200 |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1200 V 10A Orificio pasante TO-220AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 80 µA @ 1200 V |
Embalaje Tubo | Capacitancia según Vr, F 590pF a 1V, 1MHz |
Estado de pieza Activo | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1200 V | Tipo de montaje |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.6 V @ 10 A | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AC |
Velocidad Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io) | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 175°C |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | Número de pieza de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-4C10ET12T-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-VS-4C10ET12T-M3-ND | $5.09000 | Equivalente paramétrico |
| WNSC2D1012006Q | WeEn Semiconductors | 0 | 1740-WNSC2D1012006Q-ND | $0.54911 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $6.54000 | $6.54 |
| 50 | $3.48500 | $174.25 |
| 100 | $3.18980 | $318.98 |
| 500 | $2.67290 | $1,336.45 |
| 1,000 | $2.62500 | $2,625.00 |



